MOSFET: darbības princips un darbības joma

Materiāla, piemēram,pusvadītāju, ļāva veikt revolucionāros atklājumus. Laika gaitā parādījās tehnoloģijas, kas rūpnieciskā mērogā ļauj ražot diodes, MOS tranzistoru, tiristoru un citus elementus. Viņi veiksmīgi nomainīja elektroniskās lampas un ļāva realizēt visdrošākās idejas. Pusvadītāju elementi tiek izmantoti visās mūsu dzīves jomās. Tie palīdz mums apstrādāt milzīgu informācijas apjomu, to datori, magnetofoni, televizori utt.

Kopš pirmā tranzistora un šī izgudrojumabija 1948. gadā, jau ilgu laiku. Šim elementam bija dažādas šķirnes: punktveida germānija, silīcijs, lauks vai MOSFET. Visus tos plaši izmanto radioelektroniskajās iekārtās. Pētījumu par pusvadītāju īpašībām mūs neapstājas.

Šie pētījumi noveda pie šāda veida parādīšanāskā MOSFET. Tās darbības princips balstās uz to, ka elektriskā lauka (tātad cits nosaukums - lauks) variē vadītspēju virsmas pusvadītāju slāni pie robežas ar dielektriskās. Šis īpašums tiek izmantots elektroniskās shēmās dažādiem mērķiem. MOSFET ir tāda struktūra, kas ļauj samazināt pretestību starp noteci un avotu zem kontroles signāla iedarbības līdz gandrīz nullei.

Tās īpašības atšķiras no bipolārā "konkurenta". Tās nosaka tās piemērošanas jomu.

• Augstu veiktspēju nodrošinaminiaturizācija pati kristāla un tās unikālās īpašības. Tas ir saistīts ar dažām grūtībām rūpnieciskajā ražošanā. Pašlaik tiek ražoti kristāli ar vārtiem 0,06 μm.
• Neliela pārejoša kapacitāte ļauj šīm ierīcēm darboties augstfrekvences ķēdēs. Piemēram, LSI ar to izmantošanu veiksmīgi tiek izmantota mobilajos sakaros.
• Praktiski nulle pretestība, kas irMOSFET atvērtā stāvoklī, ļauj to izmantot kā elektronisko atslēgu. Viņi var strādāt, lai radītu augstas frekvences signālus vai manevrēšanas elementus, piemēram, darbības pastiprinātājus.
• Jaudīgi instrumenti šāda veida veiksmīgi tiek izmantoti strāvas moduļos un var nonākt indukcijas ķēdēs. Labs piemērs to izmantošanai var būt frekvenču pārveidotājs.

Projektējot un strādājot ar šādiem elementiemir jāņem vērā dažas pazīmes. MOSFETs ir jutīgi pret reverso pārspriegumu un viegli neizdoties. In strāvas ķēdēs ar induktivitāti ātras darbības Schottky diodes parasti tiek izmantotas, lai izlīdzinātu pretējā sprieguma impulsu, kas rodas pārslēdzoties.

Šo ierīču izmantošanas perspektīvas ir pietiekamasliels Tehnoloģiju uzlabošana to ražošanā notiek kristāla samazināšanas ceļā (slēdža mērogošana). Pakāpeniski ir ierīces, kas spēj kontrolēt arvien jaudīgākos elektromotorus.

</ p>